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通过嵌入式等离子体超表面调控半导体衬底载流子动力学增强光电导天线太赫兹发射带宽

DOI:10.1364/OE.27.030272 期刊:Optics Express 出版年份:2019 更新时间:2025-09-16 10:30:52
摘要: 本文展示了一种通过调控半导体表面载流子动力学来增强半导体基光电导天线(PCA)太赫兹(THz)发射带宽的技术。PCA的带宽受限于光生载流子的衰减过程,在半绝缘砷化镓(SI-GaAs)中该过程约为50皮秒量级。研究表明,在PCA光电导间隙中嵌入等离子体超表面结构,可使发射带宽提升超过50%。这是因为这些纳米结构作为光生载流子的局部复合位点,有效缩短了载流子寿命。此外,缺陷位点降低了终端电流,从而减少了器件中的焦耳热效应。该超表面还能促进激发红外光更高效地耦合至PCA,进而提高器件的光-THz转换效率。
作者: ARKABRATA BHATTACHARYA,DIPA GHINDANI,S. S. PRABHU
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通过调控半导体表面载流子动力学来增强基于半导体衬底的光电导天线(PCA)的太赫兹(THz)发射带宽。

光导天线(PCA)光导间隙中嵌入的等离子体超表面通过缩短载流子寿命并提高光-太赫兹转换效率,使太赫兹发射带宽提升超过50%。该技术为高功率太赫兹源及太赫兹通信的高信号带宽提供了可能。

该研究仅限于SI-GaAs衬底和特定配置的等离子体超表面。未探讨不同材料及超表面设计对太赫兹发射的影响。

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