研究目的
研究三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池及其对应的双结GaInP/GaAs太阳能电池在入射光超高浓度下光伏特性中出现的异常现象。
研究成果
多结太阳能电池在入射光超高浓度下的光伏特性异常，是由于连接在GaInP和GaAs子电池之间的背靠背隧道二极管吸收光子并产生反向光电压所致。
研究不足
该研究聚焦于入射光超高浓度下观测到的异常现象，且研究结果仅适用于所研究的多结太阳能电池的设计。
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超高太阳光浓度下多结太阳能电池光伏特性的异常现象
DOI：10.1134/S1063785019110099
期刊：Technical Physics Letters
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
研究了三结GaInP/GaAs/Ge及相应双结GaInP/GaAs太阳电池在超高光强（超过2000倍太阳光）入射光下光伏特性出现的异常现象。分析了不同光强比下的光电流-电压特性以及开路电压与光生电流的关系。研究表明，该异常现象是由于连接在GaInP和GaAs子电池之间的反向串联隧道二极管所导致。该二极管吸收穿透GaInP层的光子并产生反向光生电压。
作者：
M. A. Mintairova，V. V. Evstropova，S. A. Mintairova，M. Z. Shvartsa，N. A. Kalyuzhnyya
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