研究目的
研究采用脉冲激光沉积(PLD)法制备的层状SnSe薄膜作为忆阻电子突触功能层的潜力，该突触具有适用于神经形态计算的双模特性。
研究成果
该研究成功证明在单层硒化锡基器件中实现了短时程可塑性（STP）与长时程可塑性（LTP）的集成，显示出其在未来神经形态计算机中的应用潜力。用于硒化锡薄膜制备的可扩展脉冲激光沉积（PLD）方法表明二维材料具有工业应用前景。
研究不足
该研究提到通过可扩展方法制备大面积层状二维薄膜的挑战，这限制了二维材料的工业应用潜力。研究还指出器件间差异性也是一个限制因素，表明需要进一步提高薄膜的均匀性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用可扩展的脉冲激光沉积（PLD）法制备大面积层状SnSe薄膜，并将其作为忆阻电子突触的功能层。
2：样品选择与数据来源：
SnSe薄膜沉积于商用Nb掺杂STO(001)衬底上。
3：实验设备与材料清单：
PLD过程使用KrF准分子激光器，银电极沉积采用磁控溅射系统。
4：实验流程与操作步骤：
通过X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、原子力显微镜（AFM）对SnSe薄膜进行表征，并使用Arc One测量仪器测试其电学性能。
5：数据分析方法：
采用密度泛函理论（DFT）计算评估Sn空位和Ag迁移在SnSe中的可能性。
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获取完整内容-
X-ray diffraction (XRD)
Rigaku SmartLab
Rigaku
Used to measure the structure of the SnSe/NSTO structure.
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transmission electron microscope (TEM)
JEOL 2100 F
JEOL
Used to observe the cross-section images of SnSe/NSTO structure.
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KrF excimer laser
Used as the laser source for pulsed laser deposition (PLD).
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magnetron sputtering system
Used for depositing silver electrodes on the SnSe film.
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atomic force microscope (AFM)
Asylum Research MFP 3D Infinity
Asylum Research
Used to obtain the morphology and current map of the films.
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Arc One measurement instrument
Used to measure electrical performance and synaptic plasticity emulation.
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