研究目的
研究高速锗纳米晶体(nc-Ge)光电探测器的尺寸依赖性光响应特性及低频噪声行为。
研究成果
nc-Ge光电探测器表现出尺寸依赖的光响应特性,在900℃合成的nc-Ge中观察到最高响应度、最低噪声等效功率和最高探测率。该器件具有快速响应时间,适用于与硅技术兼容的高速光电子应用。
研究不足
该研究仅限于800°C至900°C的退火温度范围,未探索更低或更高温度。界面缺陷对器件性能的影响已被注意到,但尚未完全量化。
研究目的
研究高速锗纳米晶体(nc-Ge)光电探测器的尺寸依赖性光响应特性及低频噪声行为。
研究成果
nc-Ge光电探测器表现出尺寸依赖的光响应特性,在900℃合成的nc-Ge中观察到最高响应度、最低噪声等效功率和最高探测率。该器件具有快速响应时间,适用于与硅技术兼容的高速光电子应用。
研究不足
该研究仅限于800°C至900°C的退火温度范围,未探索更低或更高温度。界面缺陷对器件性能的影响已被注意到,但尚未完全量化。
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