研究目的
研究包括吸收层（AL）和阻挡层（BL）长度在内的结构参数对平面结构锗基阻挡杂质带（BIB）太赫兹探测器性能的影响。
研究成果
优化结构参数（尤其是BL长度）对提高BIB探测器的灵敏度至关重要。所制备的Ge:P BIB太赫兹探测器展现出宽光电响应波段范围和高探测率，凸显了无需先进材料生长技术即可提升性能的潜力。
研究不足
探测器的性能受到极强电场导致耗尽区击穿的制约，从而限制了耗尽长度和响应度的进一步提升。
1：实验设计与方法选择：
制备具有平面和叉指结构的Ge:P BIB太赫兹探测器，改变AL和BL长度。
2：样品选择与数据来源：
使用高纯度Ge衬底制备不同AL和BL长度的探测器。
3：实验设备与材料清单：
P离子用于掺杂，Si3N4钝化层，Al接触电极，VERTEX 80/80v傅里叶红外光谱仪，1000 K黑体光源，低通滤波器，电流放大器SR570，锁相放大器SR830，Kethley 6517B半导体参数分析仪。
4：实验步骤与操作流程：
P离子注入，快速热退火，Si3N4钝化，Al沉积与图形化，封装，以及在4 K下的光电特性表征。
5：数据分析方法：
测量光响应光谱、黑体响应和暗电流-电压特性，随后分析电场分布并计算探测率。
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VERTEX 80/80v
Fourier infrared spectrometer
Measurement of photoresponse spectra
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SR570
Low-noise current amplifier
Amplification of signals during blackbody response measurement
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SR830
Lock-in amplifier
Signal detection during blackbody response measurement
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Kethley 6517B
Semiconductor parameter analyzer
Measurement of current-voltage characteristics
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