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飞秒激光法简易制备二硫化钼量子点

DOI:10.1016/j.apsusc.2020.145507 期刊:Applied Surface Science 出版年份:2020 更新时间:2025-09-16 10:30:52
摘要: 二硫化钼(MoS2)因其优异的光学、电学和催化性能,正迅速在众多领域得到应用。特别是除当前备受关注的单层MoS2外,MoS2量子点(QDs)由于量子限域效应带来的独特电学与光学特性,在电子与光电子领域也广受重视。为此,研究者已尝试剥离法、基底生长法、胶体合成法等多种制备MoS2量子点的方法。本研究设计出一种比传统方法更简便的10纳米级MoS2量子点制备方法。基于所制MoS2量子点样品的表征,我们制备了阻变器件。这些器件展现出无需电形成过程的稳定单极性阻变行为。本研究为MoS2量子点的大规模生产提供了新途径,并展示了其潜在应用方向之一。
作者: Sung-Jin An,Dae Young Park,Chanwoo Lee,Seungho Bang,Nguyen Duc Anh,Sung Hyuk Kim,Ho Young Kim,Hee Jin Jeong,Mun Seok Jeong
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研究概述 实验方案 设备清单

利用飞秒激光简便制备二硫化钼量子点及其在阻变器件中的应用研究。

该研究成功采用激光烧蚀技术在1小时内于水介质中制备出MoS2量子点,展示了一种简便可靠的方法。所得MoS2-x量子点尺寸约10纳米,具有良好的水溶性,应用于阻变存储器件时显示出在电子学和催化领域下一代应用中的潜力。

与先前化学气相沉积生长或机械剥离的MoS2相比,所制备的阻变器件中状态的保持时间相对较短(约10秒)。

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