研究目的
研究采用PE-ALD沉积工艺及后处理方法开发金属和等离子体激元超薄TiN薄膜的可行性，该工艺具有基底不敏感特性且可在250°C低温下进行。
研究成果
该研究展示了一种低温等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）工艺，用于制备对衬底不敏感的超薄等离激元氮化钛薄膜，并通过后续氢等离子体处理改善了超薄膜的金属特性，调控其等离激元性能，使其表现出与较厚样品相当的金属特性。
研究不足
TiN薄膜中的氧含量归因于前驱体TDMATi中的杂质以及台式原子层沉积系统中存在的相对较高的基础压力（100毫托）。该氧含量足够低但不可忽略。
1：实验设计与方法选择：
采用处理温度低于250°C的PE-ALD方法，使用TDMATi和NH3等离子体前驱体。
2：样品选择与数据来源：
直接生长在MgO和Si<100>衬底上的TiN薄膜。
3：实验设备与材料清单：
Gemstar XT等离子体增强原子层沉积系统，氩气作为载气和吹扫气体，四(二甲基氨基)钛(IV)（TDMATi）作为钛前驱体，NH3:Ar等离子体。
4：实验步骤与操作流程：
TDMATi在腔室中暴露1000毫秒，随后在110 sccm氩气下吹扫10秒，接着暴露于300 W NH3:Ar等离子体20秒，再在110 sccm氩气下吹扫10秒。重复此循环直至达到所需厚度。
5：数据分析方法：
通过拉曼光谱和XPS进行结构表征，通过光谱椭偏仪表征光学常数。
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X-ray reflectivity
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