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Ir(pq)2acac掺杂对CBP在磷光有机发光二极管中的影响

DOI：10.1016/j.cap.2019.09.017 期刊：Current Applied Physics 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 掺杂是众多性能提升方法中最有力的手段之一。掺杂通过掺杂剂的能级影响主体层的能级，这使得能带隙可被调节至理想水平，从而产生与该能级相对应的光?；蛘?，它也能作为界面间的能量势垒来改变载流子的流动。在本研究中，我们观察了未掺杂器件与掺杂器件的电压依赖性。将双(2-苯基喹啉)铱(III)(乙酰丙酮) (Ir(pq)2acac)掺杂于4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)作为发光层。光强度随掺杂浓度变化，同时我们也研究了效率。当施加高电压时，三重态-三重态湮灭(TTA)效应会对电子-空穴复合产生不利影响。我们分析了最佳工作条件以及掺杂浓度对OLED的影响。
作者： Inyeob Na，Song Eun Lee，Min-Kyu Joo，Il-Hoo Park，Jae-Ik Song，Hyunphil Joo，Young Kwan Kim，Gyu-Tae Kim
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究Ir(pq)2acac掺杂浓度对磷光有机发光二极管(OLEDs)性能的影响，包括光强、效率以及三重态-三重态湮灭(TTA)的影响。

研究成果

研究表明，掺杂浓度显著影响OLED的性能，在CBP基质中Ir(pq)2acac的最佳掺杂浓度为6%。过高掺杂浓度会导致三重态-三重态湮灭(TTA)和空间电荷限制传导(SCLC)效应，从而降低发光效率。发射光的颜色由掺杂剂的HOMO-LUMO能带隙决定，与掺杂浓度无关。

研究不足

该研究仅限于特定掺杂剂Ir(pq)2acac和主体材料CBP，未探究其他掺杂剂或主体材料的影响。此外，研究聚焦于电学和光学特性，未深入分析OLED器件的长期稳定性或降解机制。

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