研究目的
研究通过电化学蚀刻法制备的III族氮化物量子点的单光子发射特性。
研究成果
该研究成功展示了自上而下刻蚀的III族氮化物量子点的单光子发射，其特性与外延生长的量子点相当。结果表明，电化学刻蚀是制备单光子发射器的一种可行方法，且具有进一步优化以提升性能的潜力。
研究不足
该研究未探讨蚀刻条件的优化以提升光学活性量子点的产率。此外，单光子发射仅在130K以下被观测到，表明其在高温运行方面存在局限性。
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自上而下刻蚀的III族氮化物量子点单光子发射
DOI：10.1088/1361-6528/ab6477
期刊：Nanotechnology
出版年份：2020
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
我们报道了通过电化学刻蚀方法从外延晶圆制备的III族氮化物量子点（QDs）的单光子发射特性。通过这种自上而下的制备方法，获得了直径小于10纳米且嵌入氮化镓纳米针中的量子点。由于尺寸诱导的量子限制效应，这些量子点的光致发光相比外延晶圆出现了3.35纳米的蓝移。在低温条件下，观测到二阶相关值低至0.123，表明其具有高纯度的单光子发射特性。我们的量子点在高达130K的温度下仍能实现单光子发射，并具有0.69的高偏振度，与外延生长合成的量子点性能相当。本工作证明了通过电化学刻蚀III族氮化物晶圆制备的自上而下量子点可实现单光子发射。
作者：
Yaonan Hou，Yong Wang，Qingkang Ai
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