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基于MoSe2纳米片的光激发动力学研究与光电探测器研究

DOI:10.1016/j.optmat.2019.109429 期刊:Optical Materials 出版年份:2019 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 通过瞬态吸收技术研究了MoSe2纳米片中的光激发动力学过程。全局拟合分析发现,激发态MoSe2纳米片的弛豫过程包含四种动力学行为,分别对应激子-激子相互作用、陷阱态对激子的俘获、激子解离以及自由电荷运动?;诠饧し⒉拇罅孔杂傻绾?,我们制备了MoSe2纳米片光电探测器,并进一步阐明了其光电流的周期依赖性和电压依赖性。此外,纳秒级瞬态光电流测试揭示了载流子动力学特性:高光照强度会加速载流子复合寿命缩短至1微秒并加剧相应载流子损失;同时发现偏置电压能线性提升光电探测器中自由载流子的产率,当电压升至60V时载流子复合寿命缩短至4微秒。这些研究结果有助于深入理解MoSe2纳米片的光物理特性,推动其在光电器件中的应用。
作者: Lianfei Yao,Xue Lou,Ning Sui,Qinghui Liu,Ye Zhang,Xiaochun Chi,Zhihui Kang,Qiang Zhou,Hanzhuang Zhang,Yinghui Wang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究基于MoSe2纳米片的光激发动力学并制备光电探测器,以理解其光物理特性并促进其在光电器件中的应用。

该研究阐明了MoSe2纳米片的光激发动力学过程,揭示了其弛豫过程中涉及的多个瞬态组分。所制备的光电探测器性能良好,光电流随光照强度呈线性增强。纳秒级瞬态光电流测试为载流子动力学提供了深入见解,这些动力学特性对光照强度和偏置电压敏感。这些结果有助于理解MoSe2纳米片的光物理性质及其在光电器件中的潜在应用。

该研究聚焦于单层MoSe2纳米片,其发现可能不直接适用于多层或块体MoSe2。光电探测器的性能是在特定条件下测试的,实际应用中可能需要进一步优化。

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