研究目的
开发一种自组装纳米模板限域生长概念，用于制备超薄CsPbBr3纳米线，以应用于蓝光发光二极管及其他光电器件。
研究成果
该研究成功开发出一种利用静电纺丝过程中自组装模板限域生长概念制备超长超细CsPbBr3纳米线的方法。这些纳米线展现出强烈的蓝光发射特性，表明其在蓝光LED器件及其他光电子领域具有潜在应用价值。
研究不足
该研究未涉及CsPbBr3纳米线在光电器件工作条件下的长期稳定性问题。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用由PMMA、PbBr2、CsBr和封端剂组成的DMF溶液进行静电纺丝，制备超薄CsPbBr3纳米线。
2：CsBr和封端剂组成的DMF溶液进行静电纺丝，制备超薄CsPbBr3纳米线。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：将前驱体（PbBr2、CsBr）与PMMA在DMF中充分混合。
3：CsBr）与PMMA在DMF中充分混合。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：使用高压电源（12 kV）、注射泵、不锈钢针头和旋转不锈钢板进行静电纺丝。
4：实验步骤与操作流程：
将DMF溶液静电纺丝成PMMA纤维，并收集在旋转板上。随后用甲苯溶解PMMA纤维以释放CsPbBr3纳米线。
5：数据分析方法：
通过X射线衍射仪、紫外-可见吸收光谱仪、光致发光光谱仪、场发射扫描电子显微镜和透射电子显微镜表征微观结构。
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