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水热法生长的TiO2薄膜基金属-半导体-金属紫外光电探测器

DOI:10.1007/s11664-019-07706-5 期刊:Journal of Electronic Materials 出版年份:2019 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 采用水热法生长的二氧化钛薄膜制备了一种金属-半导体-金属(MSM)紫外光电探测器。实验使用银浆作为接触电极,在金属-半导体结间形成了良好的欧姆接触。研究人员系统研究了沉积时间对材料结构、形貌及光电探测器性能的影响。所制备的二氧化钛薄膜呈多晶结构,具有沿(110)晶面择优取向的金红石晶型。在1.8微瓦/平方厘米光强、5伏偏压的紫外灯照射下,该MSM紫外光电探测器的光电流随外加电压呈线性增长。沉积时间为5小时时获得的薄膜器件表现出最优性能,其最大光电流达3.96微安,峰值光谱响应度为13.29安/瓦,并展现出快速的光学开关特性。高响应度与快速光电响应特性表明,所制备的二氧化钛探测器是性能优异的紫外光探测器件。
作者: S.M. Kumbhar,S.K. Shaikh,K.Y. Rajpure
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采用水热法生长的二氧化钛薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)紫外光电探测器,并研究沉积时间对结构、形貌及光电探测器性能的影响。

水热法生长的二氧化钛薄膜基MSM紫外光电探测器具有高光电流、高响应度和快速光学开关特性,适用于紫外A波段应用。该方法为制备高响应度紫外光电探测器提供了一种简单且经济高效的途径。

本研究仅限于采用水热法沉积TiO2薄膜,未与其他沉积技术进行比较。光电探测器性能仅在特定条件下(365 nm紫外灯,5 V偏压)进行评估。

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