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采用紧密堆叠InAs/GaAs量子点的半导体光放大器偏振不敏感光纤到光纤增益

DOI：10.35848/1347-4065/ab7060 期刊：Japanese Journal of Applied Physics 出版年份：2020 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 通过光纤-光纤测量系统研究了包含四十层紧密堆叠InAs/GaAs量子点（QDs）的半导体光放大器（SOA）增益特性。对于横电（TE）和横磁（TM）偏振光输入信号，测得的光纤-光纤增益值均在1100纳米波长处达到最大值，该波长对应紧密堆叠量子点的激发态。在1060至1170纳米波长范围内，当注入电流为80毫安时，TE偏振输入信号的增益略高于TM偏振输入信号，且两者绝对增益差小于1分贝。这种微小但非零的增益差异反映了紧密堆叠量子点所提供光学增益的偏振各向异性。研究结果表明，紧密堆叠量子点适用于实现工作带宽超过100纳米的偏振不敏感SOA器件。
作者： Toshiyuki Kaizu，Tomoya Kakutani，Kouichi Akahane，Takashi Kita
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

利用紧密堆叠的InAs/GaAs量子点研究半导体光放大器的偏振不敏感光纤到光纤增益。

研究成果

研究表明，紧密堆叠的InAs/GaAs量子点适合实现具有超过100纳米宽工作带宽的偏振不敏感半导体光放大器。在宽波长范围（1060至1170纳米）内较小的偏振相关增益差异（小于1分贝）证明了这些器件在先进光通信应用中的潜力。

研究不足

该研究承认光纤到光纤系统中存在较高的总损耗，尤其是半导体光放大器（SOA）器件与光纤之间的耦合损耗，这影响了光纤到光纤的增益。需要进一步提高耦合效率以增强器件性能。

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