研究目的
通过设计横向自组装CuInSe?/InSe同型异质结，研究二维InSe薄膜与金属电极接触性能的改进，以提升柔性纳米电子器件的性能。
研究成果
横向自组装的CuInSe2/InSe同型异质结显著改善了InSe薄膜与电极的接触性能，展现出准欧姆接触特性、降低的沟道电阻及增强的光电流。该异质结还表现出优异的柔性，在弯曲状态下通过抑制暗电流维持性能。这项工作凸显了CuInSe2/InSe异质结在柔性光电子器件中的应用潜力。
研究不足
该研究的局限性在于PLD工艺的特定条件及所用材料。异质结在极端弯曲条件下的性能及长期稳定性尚未深入探究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积（PLD）技术在柔性云母衬底上制备横向CuInSe?/InSe同型异质结。选择PLD技术因其具有保持化学计量比和控制薄膜厚度的优势。
2：样品选择与数据来源：
样品通过在预图案化Cu或Au电极的云母衬底上沉积InSe薄膜制备。采用X射线衍射（XRD）和拉曼光谱分析薄膜的化学计量比与物相。
3：实验设备与材料清单：
关键设备包括用于PLD的KrF准分子脉冲激光器、用于结构分析的XRD、用于振动分析的拉曼光谱、用于形貌观察的扫描电子显微镜（SEM）、用于化学成分分析的X射线光电子能谱（XPS），以及用于表面电势与厚度测量的原子力显微镜（AFM）和开尔文探针力显微镜（KPFM）。
4：实验流程与操作步骤：
在受控氩气压力下将InSe薄膜沉积于加热的云母衬底上，并系统表征异质结的结构、化学及电子特性。
5：数据分析方法：
基于KPFM结果分析电子能带结构与电荷转移机制，在激光照射下测量光电性能，并评估弯曲状态下的性能表现。
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