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CdTe/CdSe II型核壳量子点的合成、表征及光诱导电子转移能学研究

DOI：10.1016/j.jlumin.2019.116822 期刊：Journal of Luminescence 出版年份：2019 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： CdTe/CdSe II型核壳量子点(QDs)在非配位溶剂中化学合成。通过吸收光谱(Abs)、光致发光(PL)光谱、PL衰减寿命、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线光谱(EDX)对合成量子点的光学特性和结构进行表征。通过改变CdSe壳层厚度并固定CdTe核尺寸，可将CdTe/CdSe核壳量子点的PL峰从698 nm(1.77 eV)调控至780 nm(1.59 eV)。这些量子点的PL量子产率(QYs)为14.1%-31.7%，且在CdSe壳层生长过程中PL峰半高宽(FWHM)始终保持在0.12 eV以下。与CdTe核相比，CdTe/CdSe II型核壳量子点具有更长的PL衰减时间(可达~100 ns)?；贛arcus理论研究了CdTe/CdSe 1-5单层(ML) II型核壳量子点的电荷转移(CT)，并揭示了量子限域对结构参数的影响。CdTe/CdSe (1-5 ML) II型核壳量子点的电子转移(ET)重组能(RE)范围为60 meV至106 meV，发现ET发生在Marcus倒置区(-?G0 ET > λCT)，这是此类量子点的典型特征。
作者： N. T. Hien，T. T. K. Chi，N. D. Vinh，H. T. Van，L. D. Thanh，P. V. Do，V. P. Tuyen，N. X. Ca
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究CdTe/CdSe II型核壳量子点的合成、表征及光诱导电子转移能学。

研究成果

CdTe/CdSe II型核壳量子点通过胶体合成法制备，即在CdTe核量子点上连续沉积Cd和Se有机金属前驱体。该II型核壳量子点的光致发光峰可从698纳米（1.77电子伏特）调节至780纳米（1.59电子伏特）。II型量子点的电子转移重组能取决于其结构、形貌及尺寸大小。采用马库斯理论研究了1-5单分子层CdTe/CdSe核壳量子点的电荷转移过程，发现电子转移发生在马库斯倒置区（-?G°ET> λCT）。

研究不足

由于II型量子点中电荷载流子的空间分离降低了振子强度，从而导致波函数重叠减小，CdTe/CdSe量子点的光致发光量子产率低于CdTe核量子点。

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