研究目的
研究采用双侧渐变电子阻挡层抑制AlGaN基深紫外LED效率下降的方法。
研究成果
采用双侧渐变电子阻挡层（EBL）的优化设计显著提升了内量子效率和输出功率，在高电流密度下效率下降幅度减小。该研究凸显了通过电子阻挡层结构改性来增强氮化铝镓（AlGaN）基深紫外LED性能的潜力。
研究不足
该研究基于模拟实验，可能无法完全反映所有现实物理现象。性能提升属于理论预测，需通过实验验证。本研究聚焦于特定结构改进，未必能解决影响LED性能的所有因素。
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采用双侧渐变电子阻挡层抑制AlGaN基深紫外LED的效率衰减。
DOI：10.1088/1361-6641/ab7ce6
期刊：Semiconductor Science and Technology
出版年份：2020
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
我们设计并构想了一种基于III族氮化物的新型深紫外发光二极管（DUV LED），通过在电子阻挡层（EBL）采用双侧渐变结构，在较高电流密度下实现了合理的高效率。EBL的双侧阶梯式与线性渐变结构因改善了空穴注入、抑制了电子溢出并降低了有源区的静电场，从而展现出更优性能。性能曲线表明，相较于传统LED，EBL双侧线性渐变结构使功率提升了5.63倍，且在200 A/cm2电流密度下（发射波长约273 nm时），效率衰减低至15%。
作者：
Ramit Kumar Mondal，Vijay Chatterjee，Suraj Prasad，Suchandan Pal
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