研究目的
开发一种用于柔性AlGaInP LED阵列的制造工艺，该工艺具有高良率和良好的电学及光学性能，克服传统转移工艺的局限性。
研究成果
采用成熟LED制造技术提出的柔性AlGaInP LED阵列制备工艺具有高良率特性，即使在弯曲状态下仍能保持优良的电学与光学性能。该方法为柔性LED应用提供了切实可行的解决方案。
研究不足
该研究聚焦于AlGaInP发光二极管，未经进一步研究可能无法直接适用于其他类型LED。该工艺对蓝宝石衬底GaN发光二极管的适用性尚未探讨。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用成熟的LED制造技术，将LED芯片从蓝色PVC薄膜转移至柔性聚酰亚胺基板。
2：样品选择与数据来源：
使用AlGaInP LED芯片，重点研究其向聚酰亚胺基板的转移过程。
3：实验设备与材料清单：
包括聚酰亚胺基板（杜邦Kapton 500HN）、电极用Ti/Au层、导电银浆以及用于电隔离的BCB材料。
4：实验步骤与操作流程：
详细步骤包含Ti/Au层沉积、导电银浆涂覆、LED芯片转移、BCB涂布及电极图形化。
5：数据分析方法：
通过电流-电压（I-V）特性与电致发光（EL）光谱测量评估LED阵列的电学与光学性能。
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获取完整内容-
polyimide substrate
Kapton 500HN
DuPont
Used as a flexible substrate for the LED array fabrication.
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Ti/Au layer
Used for patterning the bottom n-electrodes on the polyimide substrate.
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conductive silver paste
Applied on the center of the Ti/Au electrodes for electrical connection.
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BCB
Coated on the top for electronic isolation between the p- and n-electrodes.
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