研究目的
研究电子束辐照（EBI）对银反射器的影响以提高倒装芯片InGaN/GaN多量子阱微发光二极管（μ-LED）阵列的效率。
研究成果
在银反射器上进行电子束辐照（EBI）可改善晶粒尺寸和晶体质量，从而提高反射率并增强μ-LED阵列的光电性能。研究表明，EBI是提升下一代倒装芯片μ-LED效率的一种极具前景的制备技术。
研究不足
该研究聚焦于EBI对μ-LED阵列中Ag反射器的影响，但未探究EBI处理工艺的长期稳定性或工业化应用的扩展性。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过制备有无电子阻挡层（EBI）的倒装芯片μ-LED阵列（采用银反射镜），探究其对光电特性的影响。
2：样品选择与数据来源：
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在c面图形化蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN基蓝光LED外延层。
3：实验设备与材料清单：
包括用于外延生长的MOCVD、用于台面刻蚀的ICP-RIE、用于沉积反射层与接触电极的电子束蒸发仪，以及FE-SEM、EBSD、XRD、紫外/可见光谱仪和Keithley 4145B源表等表征工具。
4：实验流程与操作步骤：
包含外延生长、台面刻蚀、反射层与接触层沉积、EBI处理及μ-LED阵列制备等工序。
5：数据分析方法：
通过测量并分析反射率、I-V特性、EL强度及EQE来评估μ-LED性能。
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x-ray diffractometer
XRD
Rigaku Ultima IV
Examination of morphological and agglomeration properties
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UV/Vis spectroscopy
PerkinElmer Lambda 35
PerkinElmer
Measurement of reflectance characteristics
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Source meter
Keithley 4145B
Keithley
Measurement of I-V characteristics
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metal-organic chemical vapor deposition
MOCVD
Epitaxial growth of InGaN/GaN-based blue LEDs
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inductively coupled plasma-reactive ion etching
ICP-RIE
Mesa etching of LED patterns
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e-beam evaporator
Deposition of reflective and contact electrodes
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Field emission-scanning electron microscopy
FE-SEM
Examination of morphological and agglomeration properties
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electron backscatter diffraction
EBSD
Examination of morphological and agglomeration properties
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fiber-optic spectrometer
AvaSpec-2048
Measurement of emission wavelength and peak-wavelength characteristics
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