研究目的
研究涉及硅纳米粒子层的光伏电池p-n结形成的可制造性工艺。
研究成果
所提出的红外激光处理技术对于基于硅墨水的光伏电池形成p-n结具有良好前景。高脉冲重叠率和较长曝光时间有助于实现PN结更低的薄层电阻。
研究不足
该研究未探讨通过优化激光功率密度来最小化硅衬底上晶体缺陷的方法。
1：实验设计与方法选择：
研究采用波长为1064 nm的光纤激光器进行局部加热掺杂扩散工艺。
2：样品选择与数据来源：
使用<100>晶向、厚度275微米、电阻率1-10欧姆/厘米的p型单晶硅CZ晶圆。
3：实验设备与材料清单：
掺镱光纤激光器（SPI IF20LRM110）、Filmtronics公司的n型旋涂掺杂剂P509、Meliorum Technologies公司的硅纳米颗粒以及东海碳素的碳纳米颗粒分散液。
4：0）、Filmtronics公司的n型旋涂掺杂剂PMeliorum Technologies公司的硅纳米颗粒以及东海碳素的碳纳米颗粒分散液。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：样品经清洗后，旋涂n型旋涂掺杂剂或n型旋涂掺杂剂+硅纳米颗粒，再涂覆碳纳米颗粒分散液。通过激光束扫描使n型掺杂剂扩散至p型衬底中。
5：数据分析方法：
采用四探针法测量方块电阻，利用二次离子质谱（SIMS）分析掺杂剂浓度分布。
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获取完整内容-
Yb-doped fiber laser
SPI IF20LRM110
SPI
Used for the doping process in the research.
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Spin-on-dopant P509
n-type SOD
Filmtronics
Used as the dopant source in the experiment.
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Si nanoparticles
Meliorum Technologies
Used in the mixture with n-type SOD solution to form n-type Si ink.
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Carbon NP dispersion
Tokai Carbon
Used as an optical absorption layer for infrared laser energy.
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