研究目的
研究通过在超薄Cu(In,Ga)Se2器件上添加斜角沉积(GLAD)生长的氧化铝纳米结构(Al2O3 NSs)，以缓解相分离并提升电池性能。
研究成果
在超薄Cu(In,Ga)Se2器件中添加Al2O3纳米片可缓解相分离并提升电池性能，为增强光伏器件性能展示了一种有前景的方法。
研究不足
该研究仅限于超薄Cu(In,Ga)Se2器件及GLAD法生长的Al2O3纳米柱的特定效应。需进一步研究以探索其对其他材料和沉积方法的适用性。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及通过GLAD法生长Al2O3纳米结构（NSs）的超薄Cu(In,Ga)Se2器件制备。器件采用顺序工艺流程制造，即对金属前驱体层进行后硒化处理。
2：样本选择与数据来源：
样本包含具有不同覆盖率和厚度的Al2O3 NSs超薄Cu(In,Ga)Se2薄膜。
3：实验设备与材料清单：
设备包括扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）、二次离子质谱仪（SIMS）、透射电镜（TEM）及J-V测试系统；材料包括Al2O3 NSs、Cu(In,Ga)Se2、钼背电极和单层玻璃（SLG）衬底。
4：钼背电极和单层玻璃（SLG）衬底。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：工艺流程包含通过GLAD沉积Al2O3 NSs、制备Cu(In,Ga)Se2层及硒化处理，随后采用多种技术对器件进行表征。
5：数据分析方法：
数据分析包括采用XRD分析相组成、SIMS进行深度剖析，以及通过J-V特性评估电池性能。
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