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[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 具有工业背面钝化接触的23%效率单多晶丝网印刷硅太阳能电池研究

DOI：10.1109/pvsc40753.2019.8980861 出版年份：2019 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 我们展示了一种n型双面太阳能电池，其背面采用SiOx/n+：多晶硅钝化接触结构，其中界面SiOx层和n+：多晶硅层是通过工业在线等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备制备的。通过采用可轻松适配大规模生产的简易太阳能电池工艺流程，我们在大面积丝网印刷的直拉法硅（Cz-Si）太阳能电池上，使用商用烧穿型金属浆料，实现了23.05%的峰值电池效率，开路电压（Voc）达到694 mV。此外，我们发现n+：多晶硅层具有低吸收特性，在优化背面多晶硅厚度和正面减反射涂层后，其短路电流密度（Jsc）值最高可达41.0 mA/cm2。
作者： Naomi Nandakumar，John Rodriguez，Thomas Kluge，Thomas Grosse，Lauretta Fondop，Nagarajan Balaji，Pradeep Padhamnath，Marcel Konig，Shubham Duttagupta
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究并优化采用工业在线PECVD设备制备的背面SiOx/n+：多晶硅钝化接触的n型双面太阳能电池，以实现大规模生产。

研究成果

采用原位等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺制备的、由SiOx/n+：多晶硅叠层构成背面钝化接触的大面积双面硅太阳能电池表现出卓越性能，最佳电池效率达到23.05%。该研究凸显了其通过简易工艺流程实现大规模量产的潜力。

研究不足

该研究承认，在将这种电池技术整合到包含高温工艺步骤的工业化规模流程方面存在知识空白。首次研究中填充因子限制在<80%，归因于烧结条件未优化。

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