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InAs<sub>1-x-y</sub>Sb<sub>x</sub>P<sub>y</sub>梯度组分量子点在InAs(100)衬底上的成核时序与电子特性

DOI：10.1021/acsaelm.9b00739 期刊：ACS Applied Electronic Materials 出版年份：2020 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 我们对在InAs(100)衬底上以Stranski-Krastanov生长模式生长的In-As-Sb-P组分液相梯度成分量子点(GC-QDs)的成核过程、形貌特征及电子光学性质进行了系统研究。这些GCQDs直径为10-120纳米，高度为2-20纳米，其组分分布呈现顶部Sb含量最高约20%、底部P含量最高约15%的分离特征，因而预期空穴将在量子点上部区域形成局域态。通过采用考虑应变和内建静电势的八带k·p模型，我们计算了与实验观测体系高度吻合的多种InAs1?x?ySbxPy GCQDs的空穴基态能级与电荷密度。最终结合实验与理论数据，获得了GCQDs集合体的吸收光谱。实测与模拟吸收谱的高度一致性表明，这类GCQDs可通过理论指导设计实现特定器件的定向制备。
作者： Karen M. Gambaryan，Torsten Boeck，Achim Trampert，Oliver Marquardt
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究在InAs(100)衬底上以Stranski-Krastanov生长模式生长的In-As-Sb-P组分液相梯度成分量子点(GC-QDs)的成核过程、表征及其电子和光学性质。

研究成果

该研究成功地将实验生长与表征同理论建模相结合，以理解和预测InAs1?x?ySbxPy GCQDs的电子和光学特性。实测吸收光谱与模拟结果的吻合表明，通过理论指导设计适用于特定器件应用的GCQDs具有可行性。

研究不足

该研究聚焦于圆锥形GCQDs，可能排除了透镜状纳米结构。由于数值复杂性，计算模型简化了介电限制效应。

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