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585纳米发光二极管通过旁分泌效应上调受照角质形成细胞中H19/miR-675轴来抑制黑色素生成

DOI:10.1016/j.jdermsci.2020.03.002 期刊:Journal of Dermatological Science 出版年份:2020 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 585纳米发光二极管已被证实可抑制黑素细胞中的黑素生成。然而,该波长LED是否会影响正常人表皮角质形成细胞(NHEKs)及其照射后对黑素生成的旁分泌效应尚不明确。目的:阐明585纳米LED通过NHEKs及其外泌体的旁分泌作用抑制黑素生成的体外可能机制。方法:采用CCK8法检测不同能量密度585纳米LED照射的NHEKs细胞活性,将照射后的NHEKs培养基与黑素细胞共培养,检测黑色素含量、酪氨酸酶活性及黑素生成相关酶活性。通过电镜和纳米颗粒追踪分析分离鉴定NHEKs培养基中的外泌体,分析H19及其编码的外泌体miR-675表达变化。结果:0-20 J/cm2能量密度的585纳米LED照射对NHEKs无细胞毒性。与照射后的NHEKs培养基共培养后,黑色素含量和酪氨酸酶活性降低,小眼畸形相关转录因子(MITF)、酪氨酸酶(TYR)及酪氨酸酶相关蛋白1(TRP-1)在mRNA和蛋白水平的黑素生成活性均下调。已证实与黑素生成相关的NHEKs来源H19及其衍生外泌体miR-675在照射后显著上调。此外,敲低NHEKs中H19或抑制miR-675可减弱585纳米LED对黑素生成的抑制作用。结论:本研究证明585纳米LED可通过上调NHEKs中H19及其衍生外泌体miR-675来抑制黑素生成,该机制被视为调控黑素生成的新型旁分泌因子。
作者: Shanglin Jin,Li Chen,Zhongyi Xu,Xiaoxue Xing,Chengfeng Zhang,Leihong Xiang
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研究概述 实验方案 设备清单

阐明585 nm LED通过NHEKs及其外泌体的旁分泌作用发挥抑黑素生成活性的可能体外机制。

该研究表明,585纳米LED可通过上调NHEK细胞中H19及其衍生的外泌体miR-675来抑制黑色素生成,提示其作为调控黑色素生成的新型旁分泌因子。这为色素沉着性疾病提供了新的治疗途径。

该研究聚焦于585纳米LED对正常人表皮角质形成细胞和黑素细胞的体外效应。相关发现需通过体内实验验证。此外,LED上调H19/miR-675轴的确切机制仍有待充分阐明。

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