研究目的
制备具有长载流子寿命的高质量单晶MAPbI3纳米线，用于高性能光电探测器。
研究成果
成功制备出具有创纪录81纳秒载流子寿命的高质量单晶MAPbI3纳米线，由此制成的光电探测器暗电流极低且开关比高达1880。该研究推动了高性能光电探测器器件的发展。
研究不足
该研究聚焦于MAPbI3纳米线，未探索其他钙钛矿材料。通过改善纳米线与电极之间的接触势垒，可进一步优化光电探测器性能。
1：实验设计与方法选择：
采用表面引发溶液生长策略，在动力学控制下合成单晶MAPbI3纳米线。
2：样品选择与数据来源：
使用玻璃基底生长纳米线，以碘化甲铵（MAI）和醋酸铅（PbAc2）为前驱体。
3：实验设备与材料清单：
光学显微镜（尼康，LV-150）、扫描电镜（日立SU3500）、X射线衍射仪（浩元仪器，DX-2700）、紫外-可见吸收光谱仪（岛津，UV-2600）及自制荧光光谱系统。
4：0）、扫描电镜（日立SU3500）、X射线衍射仪（浩元仪器，DX-2700）、紫外-可见吸收光谱仪（岛津，UV-2600）及自制荧光光谱系统。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：生长过程包含成核与生长阶段，通过调控温度和前驱体浓度进行优化。
5：数据分析方法：
利用双指数函数拟合瞬态光致发光光谱获取载流子寿命。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
SEM
SU3500
Hitachi
Collection of SEM and EDS images
-
UV-visible absorption spectrometer
UV-2600
Shimadzu
Measurement of absorption spectrum
-
Optical microscope
LV-150
Nikon
Characterization of the prepared MAPbI3 nanowires
-
XRD
DX-2700
Hao Yuan Instrument
Measurement of XRD spectrum
-
Femtosecond laser
Carbide 5W
Light conversion
Excitation for photoluminescence spectra
-
登录查看剩余3件设备及参数对照表
查看全部
