研究目的
研究基于PdSe2/金字塔形硅异质结阵列的高度灵敏且自驱动的近红外(NIR)光探测器，用于宽带光电探测应用。
研究成果
这种自供电光电探测器可能对未来的近红外光电器件和系统具有潜在的重要意义。
研究不足
这些半导体异质结的制备通常需要采用分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）等非常复杂的方法，从而导致相对较高的生产成本。
1：实验设计与方法选择：
通过直接在金字塔形硅表面硒化Pd纳米薄膜制备该器件，采用时域有限差分（FDTD）建模模拟电场分布。
2：样品选择与数据来源：
金字塔形硅通过n型轻掺杂硅片的碱蚀刻法制备，在其表面生长PdSe?薄膜。
3：实验设备与材料清单：
场发射扫描电镜（SU8020）、原子力显微镜（本原纳米科技CSPM-4000）、X射线衍射仪（理学D/max-rB）、高分辨透射电镜（JEOL JEM-2100F）、拉曼光谱仪（HORIBA Jobin Yvon LabRAM HR800）、能谱仪（SU8020）、X射线光电子能谱仪（ESCALAB250Xi）、紫外-可见分光光度计（日本岛津UV-2550）、半导体特性分析系统（Keithley 2400）、不同波长激光二极管（980 nm Tanon公司UV-100、1300 nm Thorlabs M1300L3、1550 nm Thorlabs M1550L3、1650 nm Thorlabs M1650L3）。
4：0）、原子力显微镜（本原纳米科技CSPM-4000）、X射线衍射仪（理学D/max-rB）、高分辨透射电镜（JEOL JEM-2100F）、拉曼光谱仪（HORIBA Jobin Yvon LabRAM HR800）、能谱仪（SU8020）、X射线光电子能谱仪（ESCALAB250Xi）、紫外-可见分光光度计（日本岛津UV-2550）、半导体特性分析系统（Keithley 2400）、不同波长激光二极管（980 nm Tanon公司UV-1300 nm Thorlabs M1300L1550 nm Thorlabs M1550L1650 nm Thorlabs M1650L3）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：通过简易碱蚀刻法合成金字塔形硅，在其表面生长PdSe?薄膜，采用多种技术对器件进行表征。
5：数据分析方法：
根据给定公式计算响应度、外量子效率（EQE）和比探测率。
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