研究目的
研究具有界面PbTiO3缓冲层的脉冲激光沉积BiFeO3-PbTiO3薄膜在形变相边界附近铁电响应的改善。
研究成果
研究表明，采用PT缓冲层能显著提升BF-xPT薄膜的室温铁电性能，实现高极化强度与低漏电流。结构与畴分析揭示了性能改善的内在机制。
研究不足
该研究的局限性在于薄膜的多晶特性，以及缺陷和应变效应可能对铁电性能产生影响。PT缓冲层在降低漏电流方面的确切作用尚需进一步研究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积法（PLD）制备BF-xPT薄膜，并使用PbTiO3（PT）缓冲层以增强铁电性能。
2：样品选择与数据来源：
在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了成分接近MPB（x=0.20-0.35）的BF-xPT薄膜。
3：20-35）的BF-xPT薄膜。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：使用高纯度氧化铋（Bi2O3）、氧化铁（Fe2O3）、氧化铅（PbO）和二氧化钛（TiO2）制备靶材，采用KrF准分子激光器（COHERENT CompexPro205）进行PLD沉积。
4：3）、氧化铁（Fe2O3）、氧化铅（PbO）和二氧化钛（TiO2）制备靶材，采用KrF准分子激光器（COHERENT CompexPro205）进行PLD沉积。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：靶材通过固相反应法制备，薄膜在550°C、0.2 mbar氧压下沉积，沉积后于650°C退火20分钟。
5：2 mbar氧压下沉积，沉积后于650°C退火20分钟。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：结构表征采用掠入射X射线衍射（GIXRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱；电学性能通过铁电测试仪和阻抗分析仪测量。
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