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可见光增强型银掺杂PbI2纳米结构/Si异质结光电探测器:掺杂浓度对光电探测器参数的影响

DOI:10.1007/s11082-019-2063-x 期刊:Optical and Quantum Electronics 出版年份:2019 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 本文研究了掺杂浓度对脉冲激光沉积(PLD)法制备的PbI2纳米结构薄膜及p-PbI2:Ag/n-Si光电探测器性能的影响。实验采用1%、3%和5%的银掺杂浓度制备PbI2薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所有沉积的PbI2薄膜均为多晶结构,沿(001)晶面呈现良好结晶的六方结构。结构分析显示,随着掺杂浓度增加,薄膜晶粒尺寸减小。能量色散X射线光谱(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)及元素分布分析证实薄膜中存在Pb、I和Ag元素且接近化学计量比。PbI2薄膜的拉曼光谱显示,在73、94.3、108、165.7和208.9 cm?1处分别对应E2振动模式的拉曼峰,其中5 wt%掺杂薄膜在185 cm?1处出现对应2E1的拉曼峰。银掺杂后薄膜光学带隙从2.8 eV降至2.3 eV?;舳饬恐な党粱腜bI2薄膜为p型,其电阻率随掺杂浓度从1%增至5%而从1.1×104 Ω cm升高至1.8×107 Ω cm。
作者: Raid A. Ismail,Ali M. Mousa,Suaad S. Shaker
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研究概述 实验方案 设备清单

研究银掺杂浓度对脉冲激光沉积法制备的纳米结构PbI2薄膜性能的影响,以及PbI2:Ag/Si光电探测器参数随银掺杂浓度的变化情况。

用银掺杂PbI2薄膜可提升其光探测器应用性能。研究发现最佳掺杂浓度为1%银,该浓度能改善光探测器性能。更高掺杂浓度会导致结晶度下降和电阻率上升。研究表明银掺杂PbI2薄膜在高光电灵敏度异质结光探测器中具有应用潜力。

该研究的局限性在于掺杂浓度范围(1%至5%银)以及脉冲激光沉积技术的特定条件。潜在的优化方向包括探索更高掺杂浓度和替代沉积方法。

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