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Pr掺杂对采用喷雾热解技术制备的CdS薄膜关键光电性能的显著影响,该薄膜适用于高性能光电探测器应用

DOI:10.1016/j.ceramint.2019.10.196 期刊:Ceramics International 出版年份:2019 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 通过喷雾热解法制备了含镨掺杂硫化镉(Pr:CdS)的高质量薄膜光电探测器,并研究了其在多种光电应用中的性能。场发射电子显微镜(FE-SEM)显示制备的薄膜致密性高,具有极精细的纳米结构且无针孔或裂纹。X射线衍射和FT-拉曼光谱分析证实所有薄膜均为单一六方相,晶粒尺寸介于19-32纳米之间。光学光谱表明制备的薄膜具有低吸收率和高透射率(70-80%范围),带隙值在2.40-2.44电子伏特范围内。光致发光光谱在~531±5纳米(2.33电子伏特)处呈现强烈绿色发射带,其强度随CdS中镨掺杂量增加而增强。添加5.0 wt.%镨后,CdS的暗电流和光电流分别提升约950倍和42倍。5.0 wt.% Pr:CdS薄膜的响应度(R)和比探测率(D*)显著提升至2.71 AW?1和6.9×1011琼斯,其外量子效率(EQE)是纯CdS薄膜的43倍,5.0 wt.% Pr:CdS薄膜的开关比达到3.95×102。优异的R、D*和EQE值及光开关特性使Pr:CdS成为高质量光电探测器的理想候选材料。
作者: Mohd Shkir,I.M. Ashraf,S. AlFaify,Ahmed Mohamed El-Toni,Mukhtar Ahmed,Aslam Khan
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研究镨掺杂对采用喷雾热解技术制备的硫化镉薄膜关键光电性能的影响,以实现高性能光电探测器应用。

该研究采用简便的喷雾热解法成功制备出高质量的Pr掺杂CdS薄膜基光电探测器。掺杂Pr后,薄膜展现出高光学透过率、适宜的能带间隙以及优异的电学性能,使其在光电器件应用中极具潜力。增强的响应度、探测率和外量子效率值,配合其光开关特性,凸显了Pr:CdS在高性能光电探测器应用中的前景。

该研究未讨论Pr:CdS薄膜的长期稳定性和环境影响。此外,也未涉及喷涂热解技术在工业应用中的可扩展性问题。

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