研究目的
用于太阳能电池接触系统的TiN、Ti和TiSi2薄膜合成
研究成果
该研究成功合成了具有太阳能电池接触系统优化特性的TiN、Ti和TiSi2薄膜。在特定沉积参数下实现了TiN薄膜的最大密度。研究还强调了退火对薄膜性能的影响，为未来太阳能电池技术应用提供了宝贵见解。
研究不足
该研究的局限性在于沉积和退火过程中所采用的具体条件和参数。若无进一步研究，这些发现可能无法推广至其他系统或条件。
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用于太阳能电池接触系统的TiN、Ti和TiSi2薄膜合成
DOI：10.1134/S1063783420010242
期刊：Physics of the Solid State
出版年份：2020
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
分析了沉积参数（如：磁控功率范围690-1400 W、硅基底温度23-170°C、氮气流量0.9-3.6 L/h、氩气流量0.06-3.6 L/h、氮氩气体流量比1-60）对沉积薄膜厚度、密度及成分的影响。在以下沉积参数下获得了最大密度5.247 g/cm3（对应TiN0.786 = Ti56N44成分）：1200 W、N/Ar=1.8/0.06 L/h=30、0.8 Pa、320秒、100°C。当温度为700-800°C时，钛与硅原子通过界面的相互扩散导致活跃形核、纳米晶形成及低电阻金属化层的产生。X射线衍射显示，在700°C退火（30分钟，氩气）过程中，由于钛原子向硅中扩散形成的TiSi2相强度是硅原子向钛中扩散形成Ti5Si3相的两倍（这是由钛的高硬度所致）。在750°C时，TiSi2平均尺寸因晶核结晶从7.1 nm减小至5.6 nm，在800°C时增至9.2 nm。
作者：
K. Kh. Nussupov，N. B. Beisenkhanov，D. I. Bakranov，S. Keinbay，A. A. Turakhun，A. A. Sultana
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