研究目的
通过控制连接量子点的第三引线的费米能级来研究单电子晶体管的动态运行,从而实现电流增益。
研究成果
该研究表明,在库仑阻塞区,单电子晶体管存在一种新型工作模式:通过向第三引脚(基极引脚)的单电子再充电事件可诱导产生源漏电流。在特定条件下,利用基态和激发态的隧穿速率可实现电流增益。研究结果表明,波函数与各引脚的空间重叠度、对称性以及自旋和/或关联效应导致的筛选规则,对单电子隧穿的动态过程起着关键作用。
研究不足
该研究的局限性在于:要实现电流增益,必须满足基态和激发态隧穿速率的特定条件。此外,量子点中的电子确切数量及约束势通常未知,这需要采用务实的方法进行调谐和测量。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用具有三个引线(源极、漏极和基极)的量子点(QD)及邻近栅电极结构,通过调控基极引线的费米能级来调制量子点电导。
2:样本选择与数据来源:
样本基于包含二维电子系统(2DES)的GaAs/Al0.33Ga0.67As异质结构。
3:33Ga67As异质结构。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:展示用于在二维电子系统中定义三引线量子点的分栅结构扫描电子显微镜图像。
4:实验步骤与操作流程:
系统调节源极、漏极与基极引线之间的费米能级关系,并通过邻近栅电极调整量子点的静电势,在此偏置条件下测量三个引线的直流电流。
5:数据分析方法:
通过测量微分电导dIS/dVD来探测量子点能级与源极或漏极费米能级的对准情况。
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