研究目的
研究基于GeSe/MoS2范德华异质结的偏振敏感自供电光电探测器的制备与性能。
研究成果
GeSe/MoS2范德华异质结光电探测器表现出高性能，具有大的开关比、高响应度和宽光谱光响应。它还展现出优异的偏振敏感特性，使其成为集成光电子系统中有前景的候选材料。
研究不足
光响应速率比其他已报道的异质结器件更慢，可通过优化GeSe纳米片的厚度来提升性能。
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偏振敏感的自供电II型GeSe/MoS2范德华异质结光电探测器
DOI：10.1021/acsami.0c01405
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
偏振敏感光电探测器对于高性能光学信号捕获和杂散光屏蔽至关重要，可增强在黑暗、雾霾等复杂环境中的目标探测与识别能力。传统器件通常需借助滤光片和偏振片实现偏振敏感检测。本研究通过构建基于GeSe/MoS?范德华(vdWs)异质结的二维自供电偏振敏感光电探测器来简化光学系统——该异质结因II型能带排列特性可实现光生载流子的高效分离与传输。由此获得的自供电器件性能优异：零偏压下光电流开关比高达10?量级，响应度(Rλ)达10? mA/W且外量子效率(EQE)为24.2%。此外，由于宽光谱区域的高吸收系数，其光谱响应范围覆盖380-1064 nm。层状GeSe高度各向异性的正交晶格结构带来关键优势：采用532 nm激光照射时，在输入偏振方向平行于扶手椅方向时获得峰值/谷值比达2.95的自供电偏振敏感检测，最大光电响应度高达590 mA/W。本研究为集成光电器件提供了基于GeSe/MoS? vdWs异质结制备自供电偏振敏感光电探测器的简便途径。
作者：
Ye Xin，Xinxin Wang，Zhuo Chen，Dieter Weller，Yingying Wang，Lijie Shi，Xiao Ma，Chunjie Ding，Wei Li，Shuai Guo，Ruibin Liu
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