研究目的
展示一种基于WSe2单层p-n结的非易失性可编程光电探测器，该探测器能够在无外加偏压的情况下随时间保持定制的响应度值。
研究成果
基于单层二硒化钨（WSe2）的分栅结构可编程光电探测器，通过电荷存储浮栅实现响应度值的长期保持，展现出卓越性能。该器件可轻松完成编程、擦除与重写操作，适用于像素阵列或图像传感器等应用场景。
研究不足
该设备在近两天后出现电流下降，归因于薄绝缘层质量不佳。通过提高绝缘体质量可解决此问题。
1：实验设计与方法选择：
该器件采用分栅结构并嵌入电荷捕获层，以实现配置性能的长期保持。
2：样品选择与数据来源：
使用单层WSe2作为活性材料。
3：实验设备与材料清单：
Ti/Au电极、通过原子层沉积（ALD）生长的Al2O3层、作为浮栅的Au纳米团簇，以及用于WSe2转移的PDMS。
4：3层、作为浮栅的Au纳米团簇，以及用于WSe2转移的PDMS。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：制备过程包括电子束光刻、ALD和单层WSe2的转移。表征包括光照条件下的电学和光电测量。
5：数据分析方法：
分析电流-电压特性、转移曲线以及短路电流随时间的变化。
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