研究目的
研究基于ZnO/NiO/Si异质结构的磁性双极晶体管的制备与表征，用于自旋电子学应用。
研究成果
基于ZnO/NiO/Si异质结构制备的磁性双极晶体管展现出良好的自旋电子学应用特性，由于NiO中镍空位或氧空位的存在，其电流放大效应可通过自旋进行调控。
研究不足
该研究仅限于对室温下制备器件的特性表征，未探究其在不同温度或其他环境条件下的性能表现。
1：实验设计与方法选择：
采用脉冲激光沉积（PLD）技术在n型硅片上生长n-ZnO/p-NiO薄膜。使用NiO和ZnO靶材分别制备NiO层和ZnO层。薄膜在670℃高温下沉积10分钟，随后在同一温度退火六小时。
2：样品选择与数据来源：
以5×5 mm2的n型硅片作为衬底。
3：实验设备与材料清单：
理学Miniflex X射线衍射仪（XRD）、Enspectr拉曼光谱仪、英国Cryogenic公司振动样品磁强计（VSM）、是德科技B2902A精密源测量单元（SMU）。
4：实验步骤与操作流程：
通过XRD和拉曼光谱研究沉积薄膜的结构特性，采用VSM进行磁学测量，使用SMU测量二极管和晶体管的I-V输出特性。
5：数据分析方法：
采用标准方法测定理想因子、串联电阻和q点参数。
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KeysightB2902A precision source/measure unit
B2902A
Keysight
Measuring I-V output characteristics
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Rigaku Miniflex X-ray diffractometer
Rigaku
Studying the structural properties of deposited thin films
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Enspectr Raman spectrometer
Recording Raman spectra
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vibrating-sample magnetometer
Cryogenic Ltd UK
Observing magnetic measurements
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