研究目的
研究基于GaN微轮腔与CH3NH3PbBr3涂层的双波段发光二极管制备及其性能，探索其在光通信领域的潜在应用。
研究成果
基于GaN微轮结构并涂覆CH3NH3PbBr3层的双频LED器件，在438纳米和512纳米附近呈现两个发射峰，其3 dB带宽较未涂层器件更高且更稳定。这为未来实现全彩LED或宽带通信提供了潜在途径。
研究不足
添加CH3NH3PbBr3层提高了LED的启动电压并降低了整体亮度。该层减缓了载流子转移速率，影响了器件的电学特性。
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基于微轮腔的双频发光二极管
DOI：10.1209/0295-5075/128/58002
期刊：EPL (Europhysics Letters)
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
近年来，紧凑型宽带电致发光（EL）器件备受关注。本研究基于GaN微轮腔制备了峰值发射波长为438 nm的发光二极管（LED），通过在LED表面涂覆CH3NH3PbBr3材料实现了512 nm的另一发射峰。该微轮腔LED采用光刻和感应耦合等离子体刻蚀工艺制成，其光电性能通过EL光谱、发光强度、半高全宽及3 dB带宽等参数进行表征。与未添加CH3NH3PbBr3层的器件相比，本器件具有双波段照明特性和更高的3 dB带宽，在光通信领域具有应用潜力。
作者：
Gangyi Zhu，Mengyao Zhou，Siqing He，Feifei Qin，Boning Han，Yan Jiang，Xin Li，Haibo Zeng，Yongjin Wang
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