研究目的
通过将氧化石墨烯量子点嵌入电荷捕获层HfO2中，研究电荷捕获存储器的增强记忆特性。
研究成果
将GOQDs嵌入HfO2电荷捕获层显著提升了所制备器件的存储窗口和保持特性。电荷捕获层中形成的量子阱以及HfO2薄膜中的缺陷陷阱提高了电荷捕获效率和数据保持能力，使得嵌入高k材料中的GOQDs在未来非易失性存储器领域具有应用前景。
研究不足
该研究聚焦于室温下的记忆特性，未探究不同温度或其他环境条件下的性能表现。器件在商业应用中的长期稳定性和可扩展性尚未得到充分探讨。
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采用氧化石墨烯量子点增强电荷俘获存储器的记忆特性
DOI：10.1063/1.5135623
期刊：Applied Physics Letters
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
本研究将氧化石墨烯量子点（GOQDs）嵌入高介电常数材料HfO?的电荷捕获层中，用于非易失性存储器应用。所制备器件在63.5V扫描电压下展现出1.57V的大存储窗口，且在1.2×10?秒保持时间后仅出现13.1%的电荷损失。这一优异性能归因于电荷捕获层中形成的量子阱效应。HfO?薄膜中的缺陷陷阱增强了器件的电荷捕获效率和保持特性。该研究表明，嵌入高介电常数材料中的GOQDs在电荷捕获存储器应用方面具有良好前景。
作者：
Tao Yang，Hong Wang，Bo Zhang，Xiaobing Yan
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