研究目的
通过结合脉冲激光沉积（PLD）与快速热处理（RTP）的新型制备方法，研究CuBi2O4光电极电荷分离效率与光电化学稳定性的提升。
研究成果
PLD/RTP制备工艺为在高于玻璃基透明导电衬底热稳定温度的条件下，制造具有高结晶度和优良电子特性的复杂金属氧化物光电极提供了新可能。通过联合PLD与RTP技术制备的相纯CuBi2O4光电极，在无需?；げ愫痛呋恋那榭鱿抡瓜殖鲎吭降牡缱犹匦约扒八从械墓獾缁榷ㄐ?。
研究不足
通过脉冲激光沉积/快速热处理（PLD/RTP）制备的CuBi2O4光阴极的低光电流主要归因于其比表面积小、缺乏CuO杂质以及未掺杂薄膜中有限的缓慢电荷传输。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积（PLD）技术在氟掺杂氧化锡（FTO）基底上依次沉积Bi2O3和CuO层，随后通过快速热处理（RTP）获得相纯的CuBi2O4薄膜。
2：样品选择与数据来源：
薄膜沉积于FTO镀膜玻璃或石英基底，沉积前用特定溶液清洗。
3：实验设备与材料清单：
使用波兰PREVAC公司的PLD系统（配备美国相干公司248 nm KrF准分子激光器LPXPro 210）进行沉积，法国ANNEALSYS公司的AS-One 100型快速热处理器进行RTP处理。
4：实验流程与操作规范：
沉积温度为500°C，激光能量密度1.5 J cm?2，重复频率10 Hz。RTP处理在纯氧常压环境下进行，升温速率10 K s?1。
5：5 J cm?2，重复频率10 Hz。RTP处理在纯氧常压环境下进行，升温速率10 K s?1。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过X射线衍射、拉曼显微镜、紫外-可见光谱、扫描电子显微镜、能谱分析及光电化学测试对薄膜进行表征。
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