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基于单根CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>微/纳米线的表面光伏效应相关高性能光电探测器

DOI：10.1039/D0TC00257G 期刊：Journal of Materials Chemistry C 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 随着材料尺寸减小至纳米级，其表面态将对性能起关键作用。本研究中的单个CH3NH3PbI3微/纳米线光电探测器可对200-850纳米宽波段光表现出优异的灵敏度与响应度。由于表面空间电荷区多数载流子（空穴）的耗尽，会形成与表面势垒相关的表面态光伏效应。在低工作电压下，该探测器能呈现低暗电流；当靠近正电极连接端受光照射时，光诱导的表面势垒降低会增强导电性，产生较大光电流。此外，在零偏压条件下，仅照射单端邻近区域时，探测器仍能展现较大的光生电压与电流?；诒疚难芯康腃H3NH3PbI3微/纳结构性能，具有表面光伏调控特性的高性能光电探测器将在新一代光电器件中具有重要应用价值。
作者： Huiying Zhou，Jianjun Li，Baochang Cheng
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究基于单个CH3NH3PbI3微/纳米线光电探测器的性能，及其在宽波长范围内对光的灵敏度和响应度，重点关注表面光伏效应及其对新一代光电器件的影响。

研究成果

基于CH3NH3PbI3微/纳米线的光电探测器展现出对宽波长范围光线的卓越灵敏度与响应度，这归因于表面光伏效应。该器件在新一代光电器件应用中具有潜力，能够在低电压下工作，并在特定光照条件下实现自供电光电探测。

研究不足

该研究的局限性在于CH3NH3PbI3对H2O和O2等环境因素的敏感性，因此需要进行封装处理。其性能还取决于表面态和势垒高度，这些参数可能随合成条件而变化。

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