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基于TiO2的浸涂法制备金属-半导体-金属紫外光电探测器用于UVA监测

DOI：10.1016/j.spmi.2020.106490 期刊：Superlattices and Microstructures 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 通过在浸涂法制备的TiO?薄膜上绘制银电极，成功制备了金属-半导体-金属结构紫外光电探测器。沉积循环次数对材料的物理化学性质及紫外传感性能具有影响。在1.8 μW/cm2光强和5 V偏压条件下测试器件紫外光电特性，所制器件呈现欧姆I-V特性。当沉积8个循环时，365 nm波长下获得最大光电流0.64 μA。C8样品在365 nm紫外光照下于5 V偏压时获得最高光电响应度2.15 A/W。制备器件具有17秒上升时间和19秒下降时间的快速响应特性，其光学开关特性表现出良好的重复性与稳定性。
作者： S.M. Kumbhar，S.S. Shevate，A.R. Patil，S.K. Shaikh，K.Y. Rajpure
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究基于TiO2的金属-半导体-金属紫外光电探测器制备及其在UVA监测中的性能表现。

研究成果

采用浸涂法制备的基于TiO2的MSM紫外光电探测器在UVA监测方面展现出良好前景，具有高光电响应度和快速响应时间。器件性能受沉积循环次数的影响。

研究不足

本研究仅限于二氧化钛薄膜的表征及其在紫外光电探测器中的应用。未对不同环境条件下的性能及长期稳定性进行广泛研究。

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