研究目的
通过激光化学气相沉积（LCVD）制备高导电性石墨烯/外延3CeSiC（G/epi-3CeSiC）复合薄膜，用于恶劣环境应用。
研究成果
通过LCVD法成功制备出具有高导电性的G/epi-3CeSiC复合薄膜。所获最高电导率达2.23×10? S/m，沉积速率显著高于既往报道。该研究还证实通过消除碳元素可提升异质结的击穿场强并降低漏电流。
研究不足
该研究聚焦于G/外延-3CeSiC复合薄膜的制备与电学性能，关于其他潜在应用或工艺可扩展性的讨论较为有限。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用自制冷壁式LCVD系统制备外延薄膜，以六甲基二硅烷（HMDS）作为安全的单一前驱体。
2：样品选择与数据来源：
选用Si（111）单晶作为衬底，HMDS由氩气载入反应腔室，氢气作为稀释气体。
3：实验设备与材料清单：
使用二极管连续激光束进行加热，通过红外测温仪监测衬底升温至沉积温度。
4：实验步骤与操作流程：
将衬底加热至沉积温度并保持10分钟沉积时间，随后冷却至室温。
5：数据分析方法：
通过X射线衍射和极图分析晶体相及面内取向关系，进一步采用拉曼光谱仪、场发射扫描电镜（FESEM）、能谱仪（EDX）和透射电镜（TEM）进行分析。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Field emission scanning electron microscopy (FESEM)
Quanta-250
FEI
Used for observing the surface and cross-section morphology.
-
Transmission electron microscopy (TEM)
JEOL JEM-2100
JEOL
Used for detailed information observation of the films.
-
Infrared pyrometer
CT laser
Optris
Used for monitoring the substrate temperature.
-
X-ray diffraction (XRD)
Rigaku Ultima III
Rigaku
Used for examining the crystal phase and in-plane orientation relationship.
-
Si (111) single-crystal
15 mm (cid:1) 10 mm (cid:1) 0.5 mm
Hefei Kejing Inc.
Used as a substrate for the deposition of films.
-
Hexametyldisilane (HMDS)
Tokyo Chemical Inc.
Used as a safe single precursor for the preparation of G/epi-3CeSiC composite films.
-
Ar
Wuhan Xiangyun Chemical Co., Ltd.
Used as a carrier gas for HMDS.
-
H2
Wuhan Xiangyun Chemical Co., Ltd.
Used as dilution gas.
-
Diode continuous laser beam
InGaAlAs, l ? 1060 nm, 20 mm in diameter
Beijing ZK laser
Used for heating the substrates.
-
Raman spectrometer
InVia
Renishaw
Used for Raman spectra measurements.
-
登录查看剩余8件设备及参数对照表
查看全部
