研究目的
通过紫外辐照减少氧化锌基自供电光电探测器表面和界面态，并增强热释电光电子效应，从而提升其性能。
研究成果
紫外线辐照有效减少了氧化锌（ZnO）表面和界面态，通过热释光电子效应提升了p-Si/n-ZnO自供电光电探测器的性能。该方法显著提高了光电探测器的响应度和响应速度，使其适用于物联网、宽光谱检测及智能光电器件等领域。
研究不足
该研究聚焦于通过紫外辐照调控ZnO表面态及其对热释光电子效应的影响。然而，改性表面态的长期稳定性以及紫外辐照工艺在大规模生产中的可扩展性问题尚未涉及。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及p-Si/n-ZnO异质结构自供电光电探测器的制备，并通过紫外辐照进行改性以减少表面和界面态。利用热释电光电子效应提升器件性能。
2：样品选择与数据来源：
采用p型硅片作为衬底，通过水热法生长ZnO纳米线形成异质结。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于沉积ZnO种子层的射频磁控溅射仪、水热生长用的机械对流烘箱，以及用于紫外辐照和测试的各类激光器。材料包含用于生长ZnO纳米线的Zn(NO3)2和六亚甲基四胺。
4：实验流程与操作步骤：
流程包括清洗硅片、沉积ZnO种子层、生长ZnO纳米线，以及溅射ITO和Ag薄膜作为电极。随后对器件进行紫外辐照以改性其表面态。
5：数据分析方法：
通过I-V和C-V测量、光致发光光谱及吸收光谱分析光电探测器性能，评估紫外辐照对器件光电特性的影响。
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