研究目的
研究基于MoS2/AlN/Si光电探测器中缺陷介导的自供电、宽带和超快光响应传输机制。
研究成果
二维层状材料与三维半导体的集成，为制备下一代高效光电子和电子器件系统开辟了技术路径?；贛oS2/AlN/Si的光电探测器展现出自供电、超快光电响应及宽波段探测特性，迄今为止在MoS2薄膜基探测器中实现了最佳器件性能之一。
研究不足
该研究的局限性在于实验设置以及MoS2/AlN/Si异质结构的制备和表征所采用的具体条件。光电探测器的性能在不同条件下或采用不同制备方法时可能会有所变化。
1：实验设计与方法选择：
通过脉冲激光沉积法在AlN/Si(111)模板上沉积MoS2薄膜形成异质结。
2：样品选择与数据来源：
商用n型Si(111)衬底上的AlN模板（厚度100 nm，面积1 cm2）作为PLD腔室中生长MoS2的基底。
3：实验设备与材料清单：
脉冲激光沉积（PLD）腔室、MoS2靶材、KrF准分子激光器、X射线光电子能谱（XPS）、截面透射电子显微镜（TEM）。
4：实验步骤与操作流程：
在700°C沉积温度下通过PLD在AlN/Si衬底上生长MoS2薄膜。靶材与衬底间距固定为4.5 cm。沉积前将腔室抽至5.0×10?6 mbar本底真空。
5：5 cm。沉积前将腔室抽至0×10?6 mbar本底真空。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：采用XPS和TEM研究样品的化学成分与结构特性。通过测量光谱响应、响应度、探测率、灵敏度及光电导增益评估光电探测器性能。
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Transmission Electron Microscope
Titan Themis 300kV
FEI
Used for cross-sectional TEM and the corresponding energy dispersive spectroscopy (EDS).
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Pulsed Laser Deposition Chamber
Excel Instruments
Used for depositing MoS2 thin film on AlN/Si substrate.
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KrF Excimer Laser
Used as a pulsed laser source for deposition of MoS2 thin film.
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X-ray Photoelectron Spectrometer
Kratos Axis Ultra DLD
Used for studying the chemical composition of the samples.
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