研究目的
研究涉及硅纳米粒子层的光伏电池p-n结形成的可制造性工艺。
研究成果
结果表明，所提出的红外激光处理技术对于基于硅墨水的光伏电池形成p-n结具有良好前景。未来研究可探索优化激光功率密度以最小化硅基底上的晶体缺陷。
研究不足
激光参数经过优化以避免样品表面过热。该研究未探讨通过优化激光功率密度来最小化硅基底上晶体缺陷的方法。
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[2018年第15届IEEE印度理事会国际会议(INDICON) - 印度科因巴托尔(2018.12.16-2018.12.18)] 2018年第15届IEEE印度理事会国际会议(INDICON) - Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>S(0≤x≤0.45)缓冲层组分变化对Cu<sub>2</sub>ZnSnSe<sub>4</sub>太阳能电池效率的影响：一项模拟研究
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[2018年第15届IEEE印度理事会国际会议(INDICON) - 印度科因巴托尔(2018.12.16-2018.12.18)] 2018年第15届IEEE印度理事会国际会议(INDICON) - Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>S(0≤x≤0.45)缓冲层组分变化对Cu<sub>2</sub>ZnSnSe<sub>4</sub>太阳能电池效率的影响：一项模拟研究
DOI：10.1109/INDICON45594.2018.8987129
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
本文研究了含硅纳米粒子层的光伏电池p-n结形成过程中考虑可制造性的工艺方法?；诼艿牟粼永┥⒎ㄐ纬蓀-n结会消耗大量能源，且重复生产步骤阻碍了硅墨水基电池与柔性基板的集成应用。本研究采用波长1064nm的光纤激光器进行局部加热掺杂扩散工艺实验，将红外光束作用于由p型硅衬底、纳米碳粒子层和n型硅墨水层组成的晶圆叠层结构。纳米碳膜吸收红外光能并转化为热源，促使硅墨水中的n型掺杂剂向p型硅片扩散。本研究的硅墨水包含硅纳米粒子与n型旋涂掺杂剂溶液的混合物，透射电镜结果表明硅纳米粒子在硅片表面均匀分布。通过研究镀有硅墨水样品的激光功率、扫描速度和脉冲频率等参数对薄层电阻的影响，二次离子质谱测量显示p型衬底中存在n型掺杂剂，其扩散深度约100nm。结果表明该红外激光处理技术对硅墨水基光伏电池p-n结的形成具有应用前景。
作者：
HUNG-FEI KUO，BEN SHEN DENG，JEN-YU FANG
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