研究目的
研究氧压对脉冲激光沉积技术制备的钒酸铋薄膜形貌、组成及光电化学性能的影响。
研究成果
脉冲激光沉积过程中的氧压显著影响钒酸铋薄膜的形貌与成分，在不同条件下会形成五氧化二钒和四钒酸铋相。相较于表面生成五氧化二钒的薄膜，较高氧压下形成的Bi4V2O11@BiVO4体异质结展现出更优异的水氧化光电化学性能。
研究不足
该研究的局限性在于沉积系统的特定几何结构以及所测试的氧压范围。通过探索不同的沉积参数和衬底取向，光电化学性能有望得到进一步优化。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积（PLD）技术在不同氧压条件下于FTO衬底上沉积钒酸铋薄膜。激光束垂直于靶材表面并与FTO衬底平行。
2：样品选择与数据来源：
薄膜由烧结的单斜相BiVO4陶瓷靶材溅射而成。氧压范围为0.1至2毫巴。
3：1至2毫巴。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：使用配备FHG?？榈腘d:YAG激光器进行烧蚀。沉积腔室配有温控单元和气体剂量阀以调节氧压。
4：实验流程与操作步骤：
薄膜在500°C下沉积15分钟。通过XRD、拉曼光谱、SEM和EDX表征薄膜形貌与成分。光电化学测试在AM1.5模拟太阳光照射下进行。
5：5模拟太阳光照射下进行。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：根据XRD衍射峰估算晶粒尺寸，基于水氧化光电流评估光电化学性能。
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Brilliant B
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Ablation of the BiVO4 target for thin film deposition.
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Measurement of film thickness.
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