研究目的
采用脉冲激光沉积技术在LaNiO3缓冲层上沉积BaTiO3薄膜,研究其电荷传输机制,并与La0.67Ca0.33MnO3缓冲的BTO薄膜进行对比。
研究成果
研究得出结论,BTO/LNO结中的电荷传输机制为空间电荷限制传导(SCLC),与BTO/LCMO相比具有更高的电流密度、更低的激活能、更低的陷阱密度以及更高的自由载流子与陷阱载流子比例。较低的激活能表明存在浅能级陷阱。
研究不足
该研究将温度范围限定在240–300 K之间,以便与既往研究进行对比分析。对数电流密度-对数电压图中未出现欧姆区,表明注入速率较高,这可能无法通过当前模型完全解释。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用脉冲激光沉积技术在LaNiO3缓冲层上沉积BaTiO3薄膜,形成金属-绝缘体-金属结,并测量分析了温度依赖的电流密度-电压(J-V)特性。
2:样品选择与数据来源:
样品为在(001)取向STO单晶衬底上沉积50纳米厚LNO缓冲层及200纳米厚BTO薄膜。
3:实验设备与材料清单:
采用基于KrF准分子激光器(波长=248纳米)的脉冲激光沉积技术进行薄膜沉积。
4:实验步骤与操作流程:
在闭循环制冷机中测量J-V特性,电压偏压施加于顶部电极(金),底部电极保持接地。
5:数据分析方法:
运用空间电荷限制传导(SCLC)理论分析传导机制,并从拟合的J-V曲线中提取陷阱密度、激活能及自由载流子与陷阱载流子比例等参数。
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