研究目的
研究高质量InGaN片状结构的制备，用作红色微LED的弛豫模板。
研究成果
该方法能够制备出高质量、无位错且顶面光滑的InGaN片状结构，适合作为红色微LED的模板材料。该片状结构的光学质量显著提升，在全彩微LED显示器领域具有应用潜力。
研究不足
该研究聚焦于铟含量高达18%的InGaN片状结构。该方法的可扩展性以及将这些片状结构集成到完整微LED器件中的技术，是未来研究的重点方向。
1：实验设计与方法选择
通过金属有机气相外延（MOVPE）技术在经化学机械抛光（CMP）处理的InGaN金字塔形成的穹顶状表面上生长InGaN薄片。调整生长条件以实现特定的铟含量和表面光滑度。
2：样品选择与数据来源
在GaN/蓝宝石衬底上，通过MOVPE技术从SiNx掩模的100-200纳米开口中选择性生长InGaN金字塔。随后对金字塔进行抛光以形成穹顶状表面，用于后续InGaN生长。
3：实验设备与材料清单
采用配备3x2英寸紧密耦合喷淋头的MOVPE系统进行InGaN生长。使用三乙基镓（TEG）、三甲基铟（TMI）和氨气作为前驱体。通过日立Su8010扫描电镜、布鲁克Dimension Icon原子力显微镜和JEOL 3000F透射电镜进行表征。
4：实验流程与操作步骤
该过程包括生长InGaN金字塔、沉积SiOx、通过CMP抛光、用HF蚀刻，然后在受控条件下生长额外的InGaN层，以获得光滑的高质量表面。
5：数据分析方法
通过扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、透射电镜（TEM）、光致发光（PL）和阴极荧光（CL）测量来评估InGaN薄片的质量、形貌和光学特性。
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