研究目的
将可见光波段激光器集成于微流控平台，实现芯片实验室应用中的原位光学测量，从而突破1.1微米以下硅材料的吸收限制。
研究成果
该工作成功展示了从可见光到红外光谱范围内超宽带工作的硅腔体，实现了硅基562.4纳米的可见光激光输出。该平台将空心芯光流控通道与光学腔体集成，适用于芯片实验室应用。
研究不足
该研究的局限性在于所使用光谱仪的分辨率，这影响了在较短波长下对品质因数的精确测量。此外，制造过程中由于横向蚀刻，在微镜底部引入了微小缺陷。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用硅的深反应离子刻蚀（DRIE）技术制造具有空心平面波导（HCPW）的微腔体，以实现超宽带运行。
2：样本选择与数据来源：
使用硅衬底制备微腔体，并以罗丹明6G（R6G）作为活性介质进行激光演示。
3：实验设备与材料清单：
包括用于硅刻蚀的DRIE、用于金属化的溅射工艺以及用于光耦合的光纤。
4：实验流程与操作步骤：
制备过程包含硅的DRIE加工、金属化处理及填充R6G的微流控通道集成，光学特性通过光纤光源和光谱仪进行表征。
5：数据分析方法：
通过分析传输光谱和品质因数来评估腔体性能。
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