研究目的
通过原子层沉积（ALD）Al2O3界面工程提高CsPbBr3钙钛矿纳米晶（PNC）薄膜对极性溶剂的耐受性，并增强基于PNC的发光二极管（LED）的工作寿命和外量子效率（EQE）。
研究成果
ALD Al2O3界面工程显著提升了CsPbBr3钙钛矿纳米晶薄膜对极性溶剂的耐受性，增强了发光层内的载流子迁移率，并延长了PNC-LED器件的工作寿命。该技术为制备高效长寿命的PNC-LED提供了可行方案。
研究不足
不同功能层之间的界面载流子传输受到绝缘Al2O3层的阻碍，这可能会限制器件的整体效率。该研究聚焦于CsPbBr3钙钛矿纳米晶，其发现可能并不直接适用于其他钙钛矿组分。
1：实验设计与方法选择：
采用原子层沉积（ALD）技术对CsPbBr3纳米晶发射层进行Al2O3填充和界面工程处理，制备基于无机电子传输层的CsPbBr3-ZnMgO发光二极管器件。
2：样品选择与数据来源：
使用CsPbBr3钙钛矿纳米晶薄膜作为发射层，研究ALD Al2O3处理对薄膜耐极性溶剂性能及器件性能的影响。
3：实验设备与材料清单：
用于Al2O3沉积的ALD设备、旋涂法制备ZnMgO层、以及包括扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）测量在内的多种表征技术。
4：实验流程与操作步骤：
制备经ALD Al2O3处理和未处理的PNC-LED器件，随后进行包括外量子效率（EQE）和寿命测量在内的性能评估。
5：数据分析方法：
通过分析器件性能指标（EQE、寿命）和表征数据（SEM、XRD、PL）来评估ALD Al2O3处理的影响。
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获取完整内容-
Atomic Layer Deposition (ALD) system
Used for depositing Al2O3 layers on CsPbBr3 PNC thin films for interface engineering.
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Scanning Electron Microscope (SEM)
Used for characterizing the surface morphology and cross-sectional images of the functional layers in the device.
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X-ray Diffraction (XRD)
Used for characterizing the crystal structure of the PNC thin films before and after ALD treatment.
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Photoluminescence (PL) measurement system
Used for measuring the photoluminescence properties of the PNC thin films.
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