研究目的
提出一种基于场效应晶体管（FET）的功率检测器经验模型，重点研究噪声等效功率（NEP）的频率依赖性以及栅极长度对响应度和NEP的影响。
研究成果
基于沃尔泰拉分析的FET功率检测器经验模型，在高达67GHz的频段内与实测数据高度吻合。该模型给出了噪声等效功率（NEP）的闭式表达式，并强调了为获得最佳性能需最小化FET固有电容和寄生电阻的重要性。研究同时证实了减小栅极长度对提升检测器性能的积极影响。
研究不足
该模型本质上仅限于小信号操作。对于高输入功率下的饱和效应以及更高频率下额外损耗机制的考虑，需要进行扩展。
1：实验设计与方法选择：
该模型基于Volterra分析，采用漏极电流的泰勒级数展开和从S参数及IV曲线提取的线性嵌入小信号电路。
2：样本选择与数据来源：
使用具有不同沟道尺寸的共面接入石墨烯场效应晶体管，测量频率高达67 GHz。
3：实验设备与材料清单：
安捷伦8275D信号发生器、吉时利2000万用表、安捷伦E4419B功率计、HP8487A和V8486A功率传感器。
4：实验步骤与操作流程：
通过外部偏置T型接头分离射频和直流路径，在片上测量响应度。射频功率经过校准并修正探针损耗。
5：数据分析方法：
验证了模型与实测噪声等效功率（NEP）的一致性，并研究了栅极长度对响应度和NEP的影响。
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