研究目的
研究基于硅量子点的发光器件在直流和交流驱动条件下的性能。
研究成果
研究表明，在直流和交流驱动条件下，均可观察到Si量子点/二氧化硅多层结构发出稳定而强烈的电致发光。该器件在交流驱动下展现出良好的发光稳定性，表明其在未来硅基光电子集成领域具有应用潜力。
研究不足
目前，器件中频率依赖性EL峰位移的机制尚不清楚。
1：实验设计与方法选择：
该器件在常规PECVD系统中生长于p型单晶硅片上。a-Si:H子层采用纯硅烷气体沉积，随后通过原位等离子体氧化形成超薄SiO2子层。样品经退火处理后形成硅量子点。最后沉积ITO和铝电极以构成电致发光器件。
2：样品选择与数据来源：
使用电阻率为1–3 Ω·cm的p型单晶硅片。
3：实验设备与材料清单：
13.56 MHz射频PECVD系统、硅烷气体、氧气、ITO及铝电极。
4：56 MHz射频PECVD系统、硅烷气体、氧气、ITO及铝电极。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：通过HORIBA Jobin Yvon Synapse CCD探测器（可见光范围）和液氮冷却InGaAs探测器（红外范围），在直流与交流偏压下测量电致发光信号。
5：数据分析方法：
通过考虑系统灵敏度对光谱进行校准。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
PECVD system
RF of 13.56 MHz
Used for the deposition of a-Si:H sublayers and in situ plasma oxidation to form ultrathin SiO2 sublayers.
-
HORIBA Jobin Yvon synapse CCD detector
HORIBA Jobin Yvon
Used for measuring EL signals in the visible range.
-
InGaAs detector
Liquid N2 cooled
Used for measuring EL signals in the infrared range.
-
登录查看剩余1件设备及参数对照表
查看全部
