研究目的
利用MOCVD技术研究二维可饱和吸收体的制备及其在脉冲光纤激光器中的应用。
研究成果
该研究成功展示了在锥形光纤上采用MOCVD法沉积二维材料作为铒光纤环形激光器中的被动调Q开关。实现了从连续模式到脉冲模式的转换，其效果取决于锥形直径和聚合物涂层的存在与否。
研究不足
传输光谱的高变化率使得制造具有给定透射值的被动Q开关变得困难。光与可饱和吸收体的相互作用长度受到锥形几何结构的限制。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在锥形光纤上沉积二维材料。锥形结构通过标准单模光纤SMF-28的化学蚀刻法制备。
2：样本选择与数据来源：
制备了直径8-14微米、腰部长度1毫米的锥形光纤。
3：实验设备与材料清单：
配备用于MOCVD沉积的专用管状石英反应器、控制厚度的光学显微镜，以及用于测试的铒光纤环形激光器。
4：实验流程与操作步骤：
沉积过程包含光学传输的原位监测，随后将锥形结构嵌入激光电路以测试其调Q能力。
5：数据分析方法：
基于锥形直径及聚合物涂层存在情况，分析连续激光模式向脉冲模式的转变。
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SMF-28
Standard single-mode fiber used as the basis for creating passive Q-switched modulators.
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NH4F–(NH4)2SO4–H2O
Etchant used for isotropic chemical etching of fibers.
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BiMe3
Organometallic compound used as a precursor for Bi2Se3 deposition.
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SbMe3
Organometallic compound used as a precursor for Sb2Te3 deposition.
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iPro2Se
Precursor used in the synthesis of MoSe2.
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Et2Te
Precursor used in the synthesis of Bi2Te3.
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MoО3
Powder used in the synthesis of MoSe2.
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ZnSe
Wide-gap semiconductor used for coating to increase the evanescent field in the SA layer.
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